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N溝道耗盡型200mA/150V MOSFET

作者：海飛樂(lè)技術(shù) 時(shí)間：2020-03-20 17:38

N溝道耗盡型200mA/150V MOSFET 
  海飛樂(lè)技術(shù)D1515是采用自對(duì)準(zhǔn)平面技術(shù)的硅N溝道耗盡型MOSFET，它可以降低導(dǎo)通損耗，改善開(kāi)關(guān)性能，提高雪崩能量。該晶體管可用于開(kāi)關(guān)啟動(dòng)保護(hù)，使系統(tǒng)小型化，效率更高。包裝形式為SOT-23，符合RoHS和無(wú)鹵素標(biāo)準(zhǔn)。
 
D1515特點(diǎn)：
N-通道
ESD改善能力
耗盡型
額定dv/dt
無(wú)鉛電鍍；符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
無(wú)鹵
 
N溝道耗盡型200mA/150V MOSFET絕對(duì)值參數(shù)
N溝道耗盡型200mA/150V MOSFET絕對(duì)值參數(shù) 
 
N溝道耗盡型200mA/150V MOSFET電參數(shù)
N溝道耗盡型200mA/150V MOSFET電參數(shù) 
 
N溝道耗盡型200mA/150V MOSFET特性曲線(xiàn)圖
N溝道耗盡型200mA/150V MOSFET特性曲線(xiàn)圖 
 
 
  海飛樂(lè)技術(shù)MOSFET采用臺(tái)灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國(guó)外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性?xún)r(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請(qǐng)聯(lián)系我司客服，我們期待您的咨詢(xún)與合作！



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