N溝道增強(qiáng)型80A/100V MOSFET

作者：海飛樂技術(shù) 時(shí)間：2020-03-19 11:42

海飛樂技術(shù)場(chǎng)效應(yīng)管80N10A8采用了獨(dú)特優(yōu)化的超級(jí)溝槽技術(shù)，提供最高效的高頻開關(guān)性能。由于RDS（ON）和Qg的極低組合，使導(dǎo)通和開關(guān)功率損耗都得到了最小化。該器件是高頻開關(guān)和同步整流的理想器件。包裝形式為TO-220AB，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

80N10A8特點(diǎn)：
RDS(ON) <8m? @ VGS=10V
超低導(dǎo)通損耗的高密度單元設(shè)計(jì)
完全表征的雪崩電壓和電流
極好的散熱封裝

80N10A8應(yīng)用：
電源開關(guān)應(yīng)用
硬開關(guān)和高頻電路
不間斷電源

N溝道增強(qiáng)型80A/100V MOSFET絕對(duì)值參數(shù)

N溝道增強(qiáng)型80A/100V MOSFET絕對(duì)值參數(shù)

N溝道增強(qiáng)型80A/100V MOSFET電參數(shù)

N溝道增強(qiáng)型80A/100V MOSFET特性曲線圖

海飛樂技術(shù)MOSFET采用臺(tái)灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國(guó)外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請(qǐng)聯(lián)系我司客服，我們期待您的咨詢與合作！

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