??N溝道48A/100V MOSFET
作者：海飛樂技術(shù) 時間：2019-11-12 17:41
海飛樂技術(shù)M056N10A，N溝道MOSFET，電壓100V，電流48A，內(nèi)阻6.6mΩ。采用高單元密度溝槽技術(shù)設(shè)計，可最大程度地降低導(dǎo)通電阻，為大多數(shù)AC/DC快速充電器的同步整流提供了優(yōu)良的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。包裝形式為TO-252，符合RoHS標準。
40N10A4特點：
高單元密度溝槽技術(shù)
低導(dǎo)通電阻最小化導(dǎo)電損耗
低柵極電荷快速開關(guān)
低熱阻
N溝道48A/100V MOSFET絕對值參數(shù)
N溝道48A/100V MOSFET電參數(shù)
N溝道48A/100V MOSFET特性曲線圖
海飛樂技術(shù)MOSFET采用臺灣芯片及先進的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價比高等優(yōu)點。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請聯(lián)系我司客服，我們期待您的咨詢與合作！
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