??27A/800V高壓MOSFET應用參數(shù)
作者：海飛樂技術 時間：2019-11-08 17:14
海飛樂27N80A47，硅N溝道27A/800V增強型VDMOSFET，采用自對準平面技術，降低了導通損耗，改善了開關性能，提高了雪崩能量。該晶體管可用于各種功率開關電路，使系統(tǒng)小型化，效率更高。包裝形式為TO-247，符合RoHS標準。
27N80A47特點：
ESD能力提升
快速開關
低柵極電荷和低導通電阻
低反向傳輸電容
100%單脈沖雪崩能量測試
27N80A47應用：
電源開關電路
27A/800V高壓MOSFET絕對值參數(shù)
27A/800V高壓MOSFET電特性
MOSFET的防靜電使用技巧
一般在MOS管的使用過程中都非常注意防靜電破壞。MOSFET的柵極-源極間最大額定電壓約為±20V，如果驅(qū)動電壓超出這個范圍，就很有可能永久損壞MOSFET，主要是因為MOSFET輸入阻抗大特點，電荷不能及時的流走，積聚在門極(G)，就會造成Vgs大于這個±20V的范圍，這時候MOSFET就可能損壞。這就是為什么一定不準用手去摸MOSFET的引腳的原因，手上的靜電高達千伏，MOSFET一下子就被擊穿了。
記住，不要用手拿住MOSFET的腿，不然可很不專業(yè)。為了防止MOSFET被靜電破壞，大家也是費盡腦汁，除了嚴格按照規(guī)章制度外，帶上放電手套，電烙鐵接地等等都是必要的。
靜電問題往往是MOSFET的薄弱處。在電路設計中應該怎么來保護MOSFET呢？既然Vgs不能大于20V，那我們就可以在G和S之間，加一個20V的穩(wěn)壓管，來防止干擾脈沖或是靜電破壞MOSFET。
海飛樂技術MOSFET采用臺灣芯片及先進的工藝技術封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有貨期短、性價比高等優(yōu)點。更多相關產(chǎn)品資料請聯(lián)系我司客服，我們期待您的咨詢與合作！
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