??IGBT模塊中快恢復二極管的作用與選型
作者：海飛樂技術 時間：2016-12-13 16:58
在最初的IGBT中，由于IGBT的結構限制，它的內部不會像MOS管一樣會有一個寄生二極管。然而在實際應用中，常常由于續(xù)流等問題的存在，反向的快速恢復二極管十分需要，后來IGBT廠家就索性在ce之間再加上了了快速恢復二極管。一般IGBT模塊中都含有快恢復二極管，如果是IGBT單管的話，型號編碼中電流數值后面含有“D”字母的話就代表內含快恢復二極管。
IGBT模塊中的快恢復二極管的作用是當電感突然斷電的話,會放出很多電,沒有續(xù)流二極管的話容易燒壞回路中的IGBT,有了快恢復續(xù)流二極管其電就會通過續(xù)流二極管回路（相當于電感短路）放電,不至于燒壞IGBT。
硬開關與IGBT快恢復續(xù)流二極管的作用
快速二極管的反向恢復特性決定著功率變換器的性能，在雙極功率晶體管的電流下降時間大于1us(開通時間約100ns)時期，二極管的反向恢復在雙極功率晶體管的開通過程中完成，而且雙極功率晶體管達到額定集電極電流的1/2—2/3左右后隨著Ic上升Hfe急劇下降，限制了二極管的反向恢復電流的峰值，在某種意義上也限制了di/dt，雙極功率晶體管的開通過程掩蓋了二極管的反向恢復特性，因而對二極管的反向恢復僅僅是反向恢復時間提出要求。隨著功率半導體器件的開關速度提高，特別是Power MOSFET、高速IGBT的出現,不僅開通速度快（可以在數十納秒內將MOSFET徹底導通或關斷），而且在額定驅動條件下，其漏極/集電極電流可以達到額定值的5—10倍，使 MOS或IGBT在開通過程中產生高的反向恢復峰值電流IRRM，同時MOS或IGBT在開通過程結束后二極管的反向恢復過程仍然存在，使二極管的反向恢復特性完全暴露出來，高的IRRM、di/dt使開關管和快速二極管本身受到高峰值電流沖擊并產生較高的EMI。因而對二極管的反向恢復特性不僅僅限于反向恢復時間短，而且要求反向恢復電流峰值盡可能低，反向恢復電流的下降，上升的速率盡可能低，即超快、超軟以降低開關過程中反向恢復電流對開關電流的沖擊，減小開關過程的EMI。
IGBT模塊快恢復續(xù)流二極管選型
1. 因為續(xù)流管是并在IGBT上的，又因IGBT承受最大耐壓為1200V，同理續(xù)流管也需承受1200V,所以選1200V。
2.設開關頻率為為100KHZ，則每個半周用時5US，如果續(xù)流管恢復時間都要1US以上，那豈不是爆了，所以保險一點選幾十NS，當然用幾百NS可能也行，可是發(fā)熱一定大多大了。開關速度越慢，相當于短路的時間越長，到達極限時就會燒毀。
3.電流的話，按照1600W計算，220V輸入電流為7.3A左右，諧振電流峰值很高幾十A，整流后按照電壓300V計算，平均則電流不到7A，所以選7A以上的管子。
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