IRFP4868PBF現(xiàn)貨參數(shù)應用及PDF資料下載

  IRFP4868PBF N溝道MOSFET，70A 300V 25.5mΩ，TO-247封裝。具有極低的導通電阻和快速的開關轉(zhuǎn)換速率。主要應用于開關電源、不間斷電源和高頻開關電路等。
 
IRFP4868PBF應用
SMPS高效同步整流技術
不間斷電源
高速開關電源
硬開關高頻電路
 
IRFP4868PBF特性
改進的門極、雪崩和動態(tài)dV/dt穩(wěn)定性
充分表征電容和雪崩SOA
增強型體二極管dv/dt和di/dt能力
無鉛，符合RoHS
 
IRFP4868PBF基本參數(shù)
制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS: 符合
技術:Si
安裝風格:Through Hole
封裝/箱體:TO-247-3
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:300 V
Id-連續(xù)漏極電流:70 A
Rds On-漏源導通電阻:32 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:±20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:5 V
Qg-柵極電荷:270 nC
工作溫度范圍:- 55℃~+ 175℃
Pd-功率耗散:517 W
尺寸大小:20.7 mm×15.87 mm×5.31 mm
正向跨導-最小值:80 S
下降時間:45 ns
上升時間:16 ns
典型關閉延遲時間:62 ns
典型接通延遲時間:24 ns
單位重量:38 g
 
IRFP4868PBF其他參數(shù)

 
IRFP4868PBF特性曲線圖  
 
  IRFP4868PBF深圳倉進口原裝現(xiàn)貨，更多相關產(chǎn)品信息及報價請聯(lián)系我司客服，我們期待您的咨詢與合作！
 
IRFP4868PBF  PDF資料下載



上一篇：IRFP4768PBF現(xiàn)貨參數(shù)應用及PDF資料下載
下一篇：重離子輻照1200V碳化硅二極管漏電退化的缺陷分析