??1200V碳化硅MOSFET系列選型
作者：海飛樂技術(shù) 時(shí)間：2019-08-09 17:20
SiC材料與目前應(yīng)該廣泛的Si材料相比，較高的熱導(dǎo)率決定了其高電流密度的特性，較高的禁帶寬度又決定了SiC器件的高擊穿場強(qiáng)和高工作溫度。其具有禁帶寬度大、擊穿電場強(qiáng)度高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高等特點(diǎn)，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。
海飛樂技術(shù)SiC MOSFET在開發(fā)與應(yīng)用方面，實(shí)現(xiàn)了傳統(tǒng)型半導(dǎo)體(Si)實(shí)現(xiàn)不了的低損耗,包括提高效率、提升功率密度、降低冷卻要求以及降低系統(tǒng)級(jí)成本。尤其在高壓工作環(huán)境下,依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性,其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率。
產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。
1200V碳化硅MOSFET系列選型
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