??IXFN100N20現(xiàn)貨報價_參數(shù)_替換資料
作者：海飛樂技術 時間：2019-02-20 10:40
IXFN36N100是增強型N溝道MOSFET，Id=36 A，Vds=200V，4引腳SOT-227B封裝。主要應用于同步整流、開關電源和照明控制等。
IXFN100N20特性
·國際標準封裝
·JEDECTO-264 AA，環(huán)氧滿足UL94V-0
·氮化鋁隔離模塊
·多晶硅柵結構
·無阻尼感應開關(UIS)額定值
·低電感封裝
·快速整流器
IXFN100N20應用
·DC-DC轉換器
·同步整流
·電池充電器
·開關電源和諧振電源
·直流斬波器
·溫度和照明控制
·低壓繼電器
IXFN100N20優(yōu)勢
·易于安裝
·節(jié)省空間
·高功率密度
IXFN100N20現(xiàn)貨技術參數(shù)
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 符合
技術: Si
安裝風格: Chassis Mount
封裝/箱體: SOT-227-4
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200V
Id-連續(xù)漏極電流: 100A
Rds On-漏源導通電阻: 23 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
工作溫度范圍: - 55℃~ 150℃
Pd-功率耗散: 520 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
高度: 9.6 mm
長度: 38.23 mm
寬度: 25.42 mm
下降時間: 30 ns
上升時間: 80 ns
工廠包裝數(shù)量: 10
典型關閉延遲時間: 75 ns
典型接通延遲時間: 30 ns
單位重量: 30 g
IXFN100N20封裝尺寸
IXFN100N20替換資料
海飛樂技術200V/100A N溝道MOSFET，采用臺灣芯片及先進的工藝技術封裝，為您提供優(yōu)質、高效的可完全替換產(chǎn)品，和國外進口產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有貨期短、性價比高等優(yōu)點。我們期待您的咨詢與合作！
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