??Vishay推出新款快恢復(fù)二極管N溝道高壓MOSFET
作者：海飛樂技術(shù) 時間：2016-11-24 16:02
Vishay發(fā)布3顆新的600V EF系列快恢復(fù)二極管N溝道功率MOSFET---SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF。Vishay Siliconix的這三款器件具有低反向恢復(fù)電荷和導(dǎo)通電阻，在工業(yè)、電信、計算和可再生能源應(yīng)用中可提高可靠性，并且節(jié)能。
今天推出的這些600V快恢復(fù)二極管MOSFET采用第二代超級結(jié)技術(shù)制造，充實了Vishay現(xiàn)有的標準E系列器件，使公司有更多的器件可用于類似移相
全橋和LLC半橋的零電壓開關(guān)(ZVA)/軟開關(guān)拓撲。
在這些應(yīng)用里，SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF具有反向恢復(fù)電荷(Qrr)比標準MOSFET低十倍的優(yōu)勢，提高了可靠性。這些器件因此能夠更快地防止電壓擊穿，有助于避免直通擊穿和熱擊穿。
21A SiHx21N60EF有四種封裝，47A SiHx47N60EF和70A SiHx70N60EF各有兩種封裝。器件分別具有176mΩ、65mΩ和38mΩ的超低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷。這意味著在太陽能逆變器、服務(wù)器和通信電源、ATX/Silver box計算機開關(guān)電源、焊接設(shè)備、UPS、電池充電器和半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備中的高功率、高頻開關(guān)應(yīng)用里，可實現(xiàn)極低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗。
這些器件能夠承受雪崩和換流模式里的高能脈沖，保證通過100%的UIS測試。這些MOSFET符合RoHS，無鹵素。
器件規(guī)格表：
產(chǎn)品編號 VDS (V) ID (A) @ 25 °C RDS(on) (m?) @ 10 V (最大值) QG (nC) @ 10 V (典型值) 封裝
(最小值)
SiHP21N60EF 600 21 176 56 TO-220
SiHB21N60EF 600 21 176 56 TO-263
SiHA21N60EF 600 21 176 56 Thin lead TO-220F
SiHG21N60EF 600 21 176 56 TO-247AC
SiHG47N60EF 600 47 65 152 TO-247AC
SiHW47N60EF 600 47 65 152 TO-247AD
SiHG70N60EF 600 70 38 253 TO-247AC
SiHW70N60EF 600 70 38 253 TO-247AD
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