??60V/120A大電流PMOS
作者：海飛樂技術(shù) 時間：2020-08-07 14:58
PMOS是在N型硅的襯底上，通過選擇摻雜形成P型的摻雜區(qū)，作為PMOS的源漏區(qū)。兩塊源漏摻雜區(qū)之間的距離稱為溝道長度L，而垂直于溝道長度的有效源漏區(qū)尺寸稱為溝道寬度W。對于這種簡單的結(jié)構(gòu)，器件源漏是完全對稱的，只有在應(yīng)用中根據(jù)源漏電流的流向才能最后確認具體的源和漏。
PMOS的工作原理與NMOS相類似。因為PMOS是N型硅襯底，其中的多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴，源漏區(qū)的摻雜類型是P型，所以，PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負電壓，亦即在PMOS的柵上施加的是負電荷電子，而在襯底感應(yīng)的是可運動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層，不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響，襯底中感應(yīng)的正電荷數(shù)量就等于PMOS柵上的負電荷的數(shù)量。當達到強反型時，在相對于源端為負的漏源電壓的作用下，源端的正電荷空穴經(jīng)過導(dǎo)通的P型溝道到達漏端，形成從源到漏的源漏電流。同樣地，VGS越負(絕對值越大)，溝道的導(dǎo)通電阻越小，電流的數(shù)值越大。
120P06A47特點：
快速開關(guān)
低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻
低反向傳輸電容
100%單脈沖雪崩能量測試
120P06A47應(yīng)用：
電源開關(guān)
硬開關(guān)高頻電路
不間斷電源
應(yīng)急電源
電機
60V/120A大電流PMOS絕對值參數(shù)
60V/120A大電流PMOS電參數(shù)
60V/120A大電流PMOS特性曲線圖
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