N溝道4A/1000V增強(qiáng)型MOSFET

作者：海飛樂技術(shù) 時間：2020-05-18 15:35

海飛樂4N100FA9，硅N溝道4A/1000V增強(qiáng)型MOSFET，采用自對準(zhǔn)平面技術(shù)，可降低導(dǎo)通損耗，改善開關(guān)性能，提高雪崩能量。該晶體管可用于各種功率開關(guān)電路，使系統(tǒng)小型化，效率更高。包裝形式為TO-220F，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

4N100FA9特點：
快速開關(guān)
低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻
低反向傳輸電容
100%單脈沖雪崩能量試驗

4N100FA9應(yīng)用：
適配器
充電器
SMPS備用電源

N溝道4A/1000V增強(qiáng)型MOSFET絕對值參數(shù)

N溝道4A/1000V增強(qiáng)型MOSFET電參數(shù)

N溝道4A/1000V增強(qiáng)型MOSFET特性曲線圖

海飛樂技術(shù)MOSFET采用臺灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有貨期短、性價比高等優(yōu)點。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請聯(lián)系我司客服，我們期待您的咨詢與合作！

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N溝道4A/1000V增強(qiáng)型MOSFET