N溝道增強(qiáng)型120A/100V MOSFET
作者:海飛樂技術(shù) 時間:2019-12-26 17:54
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120N10AD特點:
RDS(ON) <5m? @ VGS=10V
超低導(dǎo)通損耗的高密度單元設(shè)計
完全表征的雪崩電壓和電流
極好的散熱封裝
120N10AD應(yīng)用:
電源開關(guān)應(yīng)用
硬開關(guān)和高頻電路
不間斷電源
N溝道增強(qiáng)型120A/100V MOSFET絕對值參數(shù)
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N溝道增強(qiáng)型120A/100V MOSFET電參數(shù)
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N溝道增強(qiáng)型120A/100V MOSFET特性曲線圖
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