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N溝道增強型1A/600V MOSFET

作者:海飛樂技術(shù) 時間:2019-09-06 10:16

N溝道增強型1A/600V MOSFET 
  海飛樂技術(shù)1N60AG是采用自對準平面技術(shù)的硅N溝道增強型VDMOSFET,它可以降低導通損耗,改善開關(guān)性能,提高雪崩能量。該晶體管可用于各種功率開關(guān)電路,使系統(tǒng)小型化,效率更高。包裝形式為SOT-223,符合RoHS標準。
 
1N60AG
快速開關(guān)
低導通電阻(Rdson≤10Ω)
低柵極電荷(4.7nC)
低反向傳輸電容(2.9pF)
100%單脈沖雪崩能量測試
 
1N60AG應用:
適配器和充電器的電源開關(guān)電路
 
N溝道增強型1A/600V MOSFET絕對值參數(shù)
N溝道增強型1A/600V MOSFET絕對值參數(shù) 
 
N溝道增強型1A/600V MOSFET電參數(shù)
N溝道增強型1A/600V MOSFET電參數(shù) 
 
N溝道增強型1A/600V MOSFET特性曲線圖
N溝道增強型1A/600V MOSFET特性曲線圖 
 
 
  海飛樂技術(shù)MOSFET采用臺灣芯片及先進的工藝技術(shù)封裝,為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品,和國外產(chǎn)品相比,我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價比高等優(yōu)點。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請聯(lián)系我司客服,我們期待您的咨詢與合作!




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