N溝道增強(qiáng)型25A/500V MOSFET

作者：海飛樂技術(shù) 時(shí)間：2019-09-02 11:05

海飛樂技術(shù)25N50AN是采用自對(duì)準(zhǔn)平面技術(shù)的硅N溝道增強(qiáng)型VDMOSFET，它可以降低導(dǎo)通損耗，改善開關(guān)性能，提高雪崩能量。該晶體管可用于各種功率開關(guān)電路，使系統(tǒng)小型化，效率更高。包裝形式為TO-3P，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

25N50AN特點(diǎn)：
快速開關(guān)
低導(dǎo)通電阻(0.145Ω)
低柵極電荷
最小化開關(guān)損耗
快速恢復(fù)體二極管
100%單脈沖雪崩能量測試

25N50AN應(yīng)用：
適配器
充電器
SMPS備用電源

N溝道增強(qiáng)型25A/500V MOSFET絕對(duì)值參數(shù)

N溝道增強(qiáng)型25A/500V MOSFET絕對(duì)值參數(shù)

N溝道增強(qiáng)型25A/500V MOSFET電參數(shù)

N溝道增強(qiáng)型25A/500V MOSFET特性曲線圖

海飛樂技術(shù)MOSFET采用臺(tái)灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請(qǐng)聯(lián)系我司客服，我們期待您的咨詢與合作！

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N溝道增強(qiáng)型25A/500V MOSFET