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N溝道增強型12A/60V MOSFET

作者:海飛樂技術 時間:2019-08-07 15:11

N溝道增強型12A/60V MOSFET 
  海飛樂技術1S12N06LA4,N溝道增強型MOSFET,電壓60V,電流12A,內(nèi)阻58mΩ。采用先進的溝槽技術和設計,以提供優(yōu)秀的導通電阻,低門電荷。它可以在各種各樣的應用中使用。包裝形式為TO-252,符合RoHS標準。
 
1S12N06LA4
ESD能力提升
快速開關
低柵極電荷和低導通電阻
低反向傳輸電容
100%單脈沖雪崩能量測試
 
1S12N06LA4應用:
電機
應急電源
不間斷電源UPS
 
N溝道增強型12A/60V MOSFET絕對值參數(shù)
N溝道增強型12A/60V MOSFET絕對值參數(shù) 
 
N溝道增強型12A/60V MOSFET電參數(shù)
N溝道增強型12A/60V MOSFET電參數(shù) 
 
N溝道增強型12A/60V MOSFET特性曲線圖
N溝道增強型12A/60V MOSFET特性曲線圖 
 
 
  海飛樂技術MOSFET采用臺灣芯片及先進的工藝技術封裝,為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品,和國外產(chǎn)品相比,我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價比高等優(yōu)點。更多相關產(chǎn)品資料請聯(lián)系我司客服,我們期待您的咨詢與合作!




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