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N溝道增強(qiáng)型170A/30V MOSFET

作者:海飛樂技術(shù) 時(shí)間:2019-07-31 18:14

N溝道增強(qiáng)型170A/30V MOSFET 
  MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常簡(jiǎn)稱為場(chǎng)效應(yīng)管,是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。和普通雙極型晶體管相比擬,場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特性,得到了越來越普遍的應(yīng)用。
  海飛樂技術(shù)170N03AD,N溝道增強(qiáng)型MOSFET,電壓30V,電流170A,內(nèi)阻1.35mΩ。采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),以提供優(yōu)秀的導(dǎo)通電阻,低門電荷。它可以在各種各樣的應(yīng)用中使用。包裝形式為QFN 5×6,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
 
170N03AD點(diǎn)
RDS(ON) <1.65mΩ @VGS=10V  (Typ:1.35mΩ)
超低導(dǎo)通電阻
充分表征雪崩電壓和電流
封裝散熱性能好
 
170N03AD應(yīng)用:
電機(jī)
應(yīng)急電源
不間斷電源UPS
 
N溝道增強(qiáng)型170A/30V MOSFET絕對(duì)值參數(shù)
N溝道增強(qiáng)型170A/30V MOSFET絕對(duì)值參數(shù) 
 
N溝道增強(qiáng)型170A/30V MOSFET電參數(shù)
N溝道增強(qiáng)型170A/30V MOSFET電參數(shù) 
 
N溝道增強(qiáng)型170A/30V MOSFET特性曲線圖
N溝道增強(qiáng)型170A/30V MOSFET特性曲線圖 
 
 
  海飛樂技術(shù)MOSFET采用臺(tái)灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝,為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品,和國(guó)外產(chǎn)品相比,我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請(qǐng)聯(lián)系我司客服,我們期待您的咨詢與合作!




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