??N溝道600V/12mA耗盡型MOSFET
作者：海飛樂技術 時間：2019-05-30 15:01
海飛樂F501DA4，硅N溝道600V/12mA耗盡型MOSFET，采用自對準平面技術，降低了導通損耗，改善了開關性能，提高了雪崩能量。該晶體管可用于啟動保護等。包裝形式為TO-252，符合RoHS標準。
F501DA4特點：
N溝道
ESD能力提升
耗盡型
dv/dt額定值
無鉛電鍍；符合RoHS
無鹵
F501DA4絕對值參數(shù)
F501DA4電氣特性
海飛樂技術MOSFET采用臺灣芯片及先進的工藝技術封裝，為您提供優(yōu)質、高效的產(chǎn)品，和國外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有貨期短、性價比高等優(yōu)點。更多耗盡型MOSFET及相關產(chǎn)品資料請聯(lián)系我司客服，我們期待您的咨詢與合作！
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