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1000A/100V MOS模塊

作者:海飛樂技術(shù) 時(shí)間:2019-05-27 17:43

1000A/100V MOS模塊電路圖 
 
1000A/100V MOS模塊性能與應(yīng)用
  海飛樂技術(shù)有限公司1000A/100V MOS模塊,使用低電感外殼,DBC隔離銅基板,低通態(tài)壓降,開關(guān)特性好,使用壽命長,結(jié)構(gòu)牢固,可以提高效率、功率密度和頻率,可靠性高。應(yīng)用于電動(dòng)汽車、UPS設(shè)備、等離子切割、機(jī)器人等領(lǐng)域。
 
1000A/100V MOS模塊特點(diǎn)
低導(dǎo)通阻抗
優(yōu)化體二極管反向恢復(fù)特性
低電感外殼避免振蕩
開爾文電源終端易于驅(qū)動(dòng)
DBC隔離銅基板
 
1000A/100V MOS模塊應(yīng)用
電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)裝置
電動(dòng)車
UPS設(shè)備
等離子切割
機(jī)器人直流伺服驅(qū)動(dòng)
 
1000A/100V MOS模塊最大額定值TC= 25℃
VDSS漏源電壓:  100V
VGSS柵源電壓: ±20V
ID持續(xù)漏極電流@TC=25℃:1000A;@TC=80℃:620A
IF二極管正向電流:1000A
PD功率耗散@Tj=175℃: 1630W
Tjmax最高結(jié)溫:175℃
Tj工作結(jié)溫: -40~150℃
Tstg儲(chǔ)存溫度: -40~150℃
VISO隔離電壓f=50Hz,t=1min:  2500V
 
1000A/100V MOS模塊電氣特性
1000A/100V MOS模塊電氣特性 
 
1000A/100V MOS模塊特性曲線圖
1000A/100V MOS模塊特性曲線圖 
 
1000A/100V MOS模塊封裝結(jié)構(gòu)與尺寸圖
1000A/100V MOS模塊封裝結(jié)構(gòu)與尺寸圖 
 
  MOS發(fā)熱情況有:
  1.電路設(shè)計(jì)的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開關(guān),G級(jí)電壓要比電源高幾V,才能完全導(dǎo)通,P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計(jì)電路的最忌諱的錯(cuò)誤。
  2.頻率太高,主要是有時(shí)過分追求體積,導(dǎo)致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發(fā)熱也加大了。
  3.沒有做好足夠的散熱設(shè)計(jì),電流太高,MOS管標(biāo)稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于最大電流,也可能發(fā)熱嚴(yán)重,需要足夠的輔助散熱片。
  4.MOS管的選型有誤,對(duì)功率判斷有誤,MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮,導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大。
 
 
 
  海飛樂技術(shù)MOS模塊采用臺(tái)灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝,為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品,和國外產(chǎn)品相比,我司的該款產(chǎn)品具有貨期短、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請(qǐng)聯(lián)系我司客服,我們期待您的咨詢與合作!
 
 




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